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在本月舉行的IEDM 2023會(huì)議上,臺(tái)積電制定了一個(gè)包含1萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝路線圖。這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃相似。然而,需要注意的是,這個(gè)數(shù)字來(lái)自單個(gè)芯片封裝上的3D封裝小芯片集合。

雖然如此,臺(tái)積電也在致力于開(kāi)發(fā)單個(gè)芯片上擁有2000億晶體管的處理能力。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),該公司重申正在致力于2nm級(jí)別的N2和N2P制造工藝,以及1.4nm級(jí)別的A14和1nm級(jí)別的A10制造工藝。預(yù)計(jì)這些技術(shù)將于2030年左右完成。

除了晶圓片方面的研發(fā)外,臺(tái)積電還預(yù)計(jì)封裝技術(shù)(如CoWoS、InFO、SoIC等)將不斷進(jìn)步,使其能夠在2030年左右構(gòu)建出能夠集成超過(guò)1萬(wàn)億個(gè)晶體管的多芯片解決方案。

此外,在IEDM 2023會(huì)議上,臺(tái)積電還透露了1.4nm級(jí)別的工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi),并且重新確認(rèn)了2nm級(jí)別的制程將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)的計(jì)劃。

責(zé)任編輯:莊婷婷

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