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網易科技訊 12月13日消息,據外媒報道,三星電子公司擬將在中國芯片工廠的投資增加到80億美元,以提高NAND閃存芯片產量。

三星增加投資正值內存芯片價格有望于明年反彈之際,由于供應有限,市場對5G設備和網絡的需求也在不斷上升。三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商,這類芯片可以可用于移動設備、存儲卡、U盤和固態(tài)硬盤中。

2017年,三星宣布將在三年內向位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元。在這些投資進行之前,該公司曾向西安的一家測試和包裝工廠投資108億美元。三星對此拒絕置評。

三星在NAND閃存領域的競爭對手包括韓國SK海力士(SK Hynix)和美國美光科技(Micron Technology)以及日本東芝,幾家中國企業(yè)也正試圖進入內存領域,但它們至今尚未取得太大成功,還不足以與這些巨頭競爭。

今年秋季,長江存儲科技有限責任公司(YMTC)宣布,將開始大規(guī)模生產64層3D NAND芯片,這是多數領先行業(yè)企業(yè)遵循的基準。

責任編輯:陳錦娜

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