6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。
中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了。”
SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料,具有重要的應(yīng)用價值和廣闊的應(yīng)用前景。
中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說:“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關(guān)鍵原材料,單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設(shè)備,要想生長出高質(zhì)量的SiC單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進行設(shè)計、調(diào)試和優(yōu)化。”
據(jù)介紹,單晶生長爐需要達到高溫、高真空、高潔凈度的要求,目前國內(nèi)只有兩家能生產(chǎn)單晶生長爐,中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長的溫場設(shè)計,實現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設(shè)計制造及小批量生產(chǎn);他們還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù),實現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。
責(zé)任編輯:莊婷婷
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